图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 FDMS3686S |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 13A, 23A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 8 mOhm @ 13A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.7V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 29nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1785pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-TDFN Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN (5x6) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 13A, 23A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.7V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-PQFN (5x6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8 mOhm @ 13A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1785pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 29nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-TDFN Exposed Pad |
| 其他名称 | FDMS3686SCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Dual, Triple Drain, Triple Source |
| 外形尺寸 | 5.1 x 6.1 x 1.05mm |
| 身高 | 1.05mm |
| 长度 | 5.1mm |
| 最大连续漏极电流 | 30 A, 54 A, 55 A |
| 最大漏源电阻 | 10.8 mΩ, 4 mΩ |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2.2 (Transistor 1) W, 2.5 (Transistor 2) W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 包装类型 | Power 56 |
| 引脚数 | 8 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 21 nC @ 10 V (Transistor 1), 27 nC @ 10 V (Transistor 2) |
| 典型输入电容@ VDS | 1340 pF @ 15 V (Transistor 1), 1820 pF @ 15 V (Transistor 2) |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns, 23 ns |
| 典型导通延迟时间 | 8.2 (Transistor 1) ns, 9 (Transistor 2) ns |
| 宽度 | 6.1mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 23 A |
| 系列 | FDMS3686S |
| 单位重量 | 0.003175 oz |
| RDS（ON） | 8 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | Power-56 |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 5.1mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1340 pF@ 15 V, 1820 pF@ 15 V |
| 系列 | PowerTrench |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 1.05mm |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大漏源电阻值 | 4 mΩ, 10.8 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 2.2 W，2.5 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 6.1mm |
| 尺寸 | 5.1 x 6.1 x 1.05mm |
| 最小栅阈值电压 | 1.1V |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 8.2 (Q1) ns, 9 (Q2) ns |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns、23 ns |
| 封装类型 | Power 56 |
| 最大连续漏极电流 | 13 A，23 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 串行 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 10 V，27 nC @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 2 Channel |
| 商品名 | Power Stage PowerTrench |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 23 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| 技术 | Si |
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